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  • PD-270STLC等离子体增强CVD系统

    PD-270STLC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等离子体增强CVD系统,可用于大规模生产。Samco的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源,以低应力沉积SiO2薄膜,从薄膜到厚的薄膜(高达100 µm)。该系统通过采用大气盒装载和ø236毫米的托架实现了高产量,可安装三个ø4英寸的晶圆。

    更新时间:2024-06-27
    型号:PD-270STLC
    厂商性质:经销商
    浏览量:63
  • PD-220N化学气相沉积等离子体CVD系统

    PD-220N是用于沉积各种硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%。 从研究到半大规模生产,它的应用范围很广。

    更新时间:2024-06-27
    型号:PD-220N
    厂商性质:经销商
    浏览量:63
  • PD-3800L化学气相沉积(PECVD)系统

    PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)的锁载等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统。 该系统由于采用了大型反应室,并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理,因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜,具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。

    更新时间:2024-06-27
    型号:PD-3800L
    厂商性质:经销商
    浏览量:64
  • PD-220NL化学气相沉积 (PECVD) 系统

    PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。 该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜,并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面,用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。

    更新时间:2024-06-27
    型号:PD-220NL
    厂商性质:经销商
    浏览量:75
  • AL-1无针孔薄膜沉积设备

    AL-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂,仅利用表面反应沉积薄膜,实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量。此外,可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚度均匀的薄膜。可同时沉积3片ø4英寸的晶片。

    更新时间:2024-06-27
    型号:AL-1
    厂商性质:经销商
    浏览量:72
  • PD-2201LC化学气相沉积 (PECVD) 设备

    PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。 该系统在节省空间的提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜,并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面,用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择,具有优异的重复性。

    更新时间:2024-06-27
    型号:PD-2201LC
    厂商性质:经销商
    浏览量:66
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