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半导体前道工艺设备
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无掩膜/激光直写光刻机 参数:1. 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器$n2. 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm3. 光刻效率:可达到3000mm2/min@5μm4. XY行程:55~205mm5. 样品尺寸:最小3mm*3mm 最大8 inch6.应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、*进芯片封装、光通讯。
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