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半导体前道工艺设备
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反应性离子刻蚀系统RIE 产品概述: 1. 可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺 2. 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆,快速更换到不同尺寸的晶圆工艺 3. 电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C 4. 应用方向 (1) III-V族材料刻蚀工艺 (2) 固体激光器 InP刻蚀 (3) VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀 (4) 射频器件低损伤 GaN刻蚀
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