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  • 电感耦合等离子体刻蚀ICP

    电感耦合等离子体刻蚀ICP 1. 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆,快速更换到不同尺寸的晶圆工艺 2. 电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C 3. ICP源尺寸为65mm,180mm,300mm 4. 应用方向: (1) III-V族材料的刻蚀工艺 (2) 固体激光器InP刻蚀 (3) VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀 (4) 射频器件低损伤GaN刻蚀

    更新时间:2023-06-09
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