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  • PD-100ST等离子体增强CVD系统

    PD-100ST是一种用于研发的低温(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)等离子体增强CVD系统。Samco的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源,以低应力沉积SiO2薄膜,从薄膜到厚的薄膜(高达100 µm)。PD-100ST具有时尚、紧凑的设计,只需要小的洁净室空间。

    更新时间:2024-06-27
    型号:PD-100ST
    厂商性质:经销商
    浏览量:59
  • PD-330STC等离子体增强CVD系统

    PD-330STC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等离子体增强CVD系统,可用于大规模生产。Samco的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源,以低应力沉积SiO2薄膜,从薄膜到厚的薄膜(高达100 µm)。该系统通过采用大气盒装载和ø300毫米晶圆的优良工艺均匀性,实现了高产量。

    更新时间:2024-06-27
    型号:PD-330STC
    厂商性质:经销商
    浏览量:68
  • PD-200STL等离子体增强型CVD系统

    PD-200STL是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(300nm/min)等离子体增强型CVD系统。Samco的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源,以低应力沉积SiO2薄膜,从薄膜到厚的薄膜(高达100μm)。PD-200STL具有时尚、紧凑的设计,只需要小的洁净室空间。

    更新时间:2024-06-27
    型号:PD-200STL
    厂商性质:经销商
    浏览量:62
  • 等离子增强化学气相沉积PECVD

    等离子增强化学气相沉积PECVD(1) 应用方向:高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途;用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀(2) 电阻丝加热电极,最高温度可达400°C或1200°C(3) 实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺(4) 晶圆最大可达200mm,可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆。

    更新时间:2024-03-28
    型号:
    厂商性质:经销商
    浏览量:466
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