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RIE-300NR是一种理想的反应离子蚀刻系统,适用于加工ø300mm晶圆和多晶圆(ø3“×12,ø4“×8等),具有优异的均匀性。该系统的设计旨在大限度地减少工厂空间需求,提高产量,大限度地延长正常运行时间,并通过可靠的硬件和便捷的服务降低拥有成本。
RIE-200C是在拥有丰富交货业绩的CCP RIE系统 “RIE-10NR “的基础上开发的量产型盒式装载系统。该系统可对Si、Poly-Si、SiO₂、SiN等各种硅薄膜进行高精度蚀刻和灰化。采用双盒双臂机械手,PLC控制全自动操作,高性能存储工艺参数,实现了高产量。
RIE-200NL是一种负载锁定型的反应离子蚀刻系统,它提高了工艺的可重复性,并允许腐蚀性气体化学。优化的工艺室设计可在ø8 “晶圆或ø220mm小晶圆的载盘上提供优异的均匀性。该系统可实现精确的侧壁轮廓控制和材料之间的高蚀刻选择性。RIE-200NL设计时尚、紧凑,只需小的洁净室空间。
高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室,是一套完整的生产系统,具有优良的工艺重复性和稳定性。
RIE-10NR是一种新型的低成本、高性能的全自动反应离子蚀刻系统,它能满足非腐蚀性气体化学苛刻的工艺要求。计算机化的触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面。该系统可实现精确的侧壁轮廓控制和材料间的高蚀刻选择性。RIE-10NR具有时尚、紧凑的设计,需要小的洁净室空间。