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  • 电子束光刻系统

    电子束光刻系统 技术参数: 1.最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm 2.50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调 3.肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nA

    更新时间:2024-03-27
    型号:
    厂商性质:经销商
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