电子束光刻系统

简要描述：电子束光刻系统技术参数：
1.最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm
2.50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调
3.肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA

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一、电子束光刻系统 技术参数：

1.最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm

2.50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调

3.肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA

4.图像发生器扫描频率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距为0.5nm

5.通用样品架可承载散片，4inch以下的衬底，4inch专用晶圆专用样品架，6inch专用晶圆专用样品架，多样品专用样品架

二、电子束光刻系统 技术参数：

1.拼接精度：

100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm写场下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma

2.套刻精度：

100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm写场下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma

束电流稳定性＜0.2%/h 束位置稳定性＜120nm/8h

三、企业简介：

深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。

致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。

公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

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