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反应性离子刻蚀系统RIE

简要描述:可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺,兼容200mm以下所有尺寸的晶圆,快速更换到不同尺寸的晶圆工艺,电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C。

  • 产品型号:customized-12
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 933

详细介绍

1. 产品概述

可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺兼容200mm以下所有尺寸的晶圆,快速更换到不同尺寸的晶圆工艺电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C。反应性离子刻蚀 reaction ionetching;RIE)是制作半导体集成电路的蚀刻工艺之一。在除去不需要的集成电路板上的保护膜时,利用反应性气体的离子束,切断保护膜物质的化学键,使之产生低分子物质,挥发或游离出板面,这样的方法称为反应性离子刻蚀。

2. 设备用途/原理

III-V族材料刻蚀工艺

固体激光器 InP刻蚀

VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

射频器件低损伤 GaN刻蚀

类金刚石 DLC) 沉积

二氧化硅和石英刻蚀

用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圆用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀。

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