详细介绍
1. 产品概述
可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺,兼容200mm以下所有尺寸的晶圆,快速更换到不同尺寸的晶圆工艺,电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C。反应性离子刻蚀 (reaction ionetching;RIE)是制作半导体集成电路的蚀刻工艺之一。在除去不需要的集成电路板上的保护膜时,利用反应性气体的离子束,切断保护膜物质的化学键,使之产生低分子物质,挥发或游离出板面,这样的方法称为反应性离子刻蚀。
2. 设备用途/原理
III-V族材料刻蚀工艺;
固体激光器 InP刻蚀;
VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀;
射频器件低损伤 GaN刻蚀;
类金刚石 (DLC) 沉积;
二氧化硅和石英刻蚀;
用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圆用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀。
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