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化学气相沉积等离子体CVD系统

简要描述:PD-220N是用于沉积各种硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%。 从研究到半大规模生产,它的应用范围很广。

  • 产品型号:PD-220N
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-06-27
  • 访  问  量: 57

详细介绍

1、公司介绍

深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年,由武汉大学团队孵化,致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。
公司主要业务如下:
装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。
设备服务:驻场或者 oncall,装备维护、保养、售后技术支持。
厂务服务:驻场或者 oncall,人力服务及厂务二次配工程。
经历五年高速发展,2023 年营业额达 3.2 亿,连年复合增长率达 300%,现处于稳定扩张期。
2、成长历程
•2020年(公司成立年)
•2300万订单额
2021年 7000万订单额
2022年 2.5亿订单额
2023年3.2亿订单额


等离子体增强型CVD设备 PD-220N

研究开发用等离子体CVD设备

概要

PD-220N是用于沉积各种硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%。 从研究到半大规模生产,它的应用范围很广。

主要特点和优点

  • 可在ø8英寸晶圆上沉积
    尽管设计紧凑,但该系统能够在5块ø3英寸晶圆、3块ø4英寸晶圆和1块ø8英寸晶圆上同时沉积。

  • TEOS-SiO2成膜系统可扩展
    可增加TEOS等温室装置。 (这是一个选项)

应用

  • 各种硅基薄膜的形成
    可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。

  • 选项

  • 可以增加形成TEOS-SiO2薄膜的TEOS等温室装置。




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