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化学气相沉积等离子体CVD系统

简要描述:PD-220N是用于沉积各种硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%。 从研究到半大规模生产,它的应用范围很广。

  • 产品型号:PD-220N
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-04
  • 访  问  量: 173

详细介绍

1. 产品概述

PD-220N是用于沉积各种硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%。 从研究到半大规模生产,它的应用范围很广。

2. 设备用途/原理

各种硅基薄膜的形成可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。

3. 设备特点

可在ø8英寸晶圆上沉积尽管设计紧凑,但该系统能够在5块ø3英寸晶圆、3块ø4英寸晶圆和1块ø8英寸晶圆上同时沉积。TEOS-SiO2成膜系统可扩展可增加TEOS等温室装置。等离子体化学气相沉积(plasmachemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。按产生等离子体的方法,分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体CVD等。


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