1、Canon FPA5000 ES4扫描式光刻机 光源波长248nm 分辨率优于0.13µm 用于6寸、8寸及12寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.13µm N.A.0.5-0.8 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光现场26mm*33mm 对准精度25nm

1、Canon FPA5000 ES3扫描式光刻机 光源波长248nm 分辨率优于0.18µm 主要用于6寸、8寸及12寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.18µm N.A.0.6-0.73 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光现场26mm*33mm 对准精度35nm

1、Canon FPA3000 EX4步进式光刻机 光源波长248nm 分辨率优于0.25µm 主要用于主要用于4寸、6寸、8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.25µm N.A.0.4~0.6 曝光光源248nm 倍率5:1 最大曝光现场22mm*22 mm 对准精度60nm

1、Nikon S308F扫描式光刻机 光源波长193nm 分辨率优于0.07µm 主要用于4寸、6寸、8寸及12寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.07µm N.A.0.92 曝光光源193nm 倍率4:1 最大曝光现场26mm*33mm 对准精度12nm

1、Nikon S208D扫描式光刻机 光源波长248nm 分辨率优于0.11µm 主要用于8寸及12寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.11µm N.A.0.82 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光现场26mm*33mm 对准精度 15nm

1、Nikon S207D扫描式光刻机 光源波长248nm 分辨率优于0.11µm 主要用于8寸及12寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2、产品详情 主要技术指标 分辨率0.11µm N.A.0.82 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光现场26mm*33mm 对准精度 20nm