详细介绍
1. 产品概述
Canon FPA5000 ES3扫描式光刻机,主要用于6寸、8寸及12寸生产线,广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等域。
2. 设备特点
投影放大倍率:1/4 X,曝光光:(248nm DUV)。数值孔径:(0.73~0.60,以 0.01 为增量),视场尺寸:26x33mm。曝光光:DUV(深紫外线)。强度: 低 17,000 w/m2。均匀度:+/- 1.0%。遮蔽刀片精度:最大 +/- 80 μm。
分辨率:<0.13μm 或更小。焦深:最小 R 0.6μm,图像表面宽度:R 0.12μm 或更高,畸变度:<± 10μm。对焦/调平性能:聚焦重复性:<60nm (3sigma),调平重复性:<4ppm (3sigma),最小补偿范围:>100ppm。步长精度:17nm (3sigma),缩放比例:<±0.5ppm,正交度:<±0.5ppm。标线旋转精度:<±0.3ppm。晶圆对准:<0.025μm 平均值 + 3sigma。光罩旋转重复性:<R0.7ppm。标准尺寸:6 英寸方形 t=0.25 英寸(Patticle 检查器)。材质: 石英。图案材料:2 层 CR、3 层 CR。薄膜框架:仅图案侧支架 = 6.3mm。光罩颗粒检查器规格:检测分辨率:图案表面:>0.6μm。玻璃表面:>15μm,表层表面:>20μm,检测重复性: >95%,晶圆尺寸:标准 8 英寸(8 英寸至 12 英寸 SEMI 标准,JEIDA,缺口/平面,可选),吞吐量:125wph (30 shot)22mm ( 8“ 晶圆),吞吐量:73wph (64shot)22mm ( 12“ 晶圆),环境室规格:清洁度:1级(>0.1μm),控温精度:+/- 0.1*C 以内。腔室类型:CD140,空调:BCU-900,制冷剂:P3419481YH,调节剂:SC-216440。
佳能开发了一系列半导体光刻设备,旨在满足除传统半导体晶圆加工之外的广泛应用的技术要求。
半导体芯片(也称为集成电路,Integrated Circuit, IC)生产主要分为 IC 设计、 IC 制造、 IC 封测三大环节。 IC 设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定,并根据设计图制作掩模以供后续光刻步骤使用。 IC 制造实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上,并实现目标芯片功能,包括化学机械研磨、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入等步骤。 IC 封测完成对芯片的封装和性能、功能测试,是产品交付前的最后工序。
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