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SiC用高温离子注入设备

简要描述:SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC

搭载了高温ESC(静电吸附卡盘)的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。

  • 产品型号:IH-860DSIC
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 343

详细介绍

1 产品概述:

   SiC用高温离子注入设备,如爱发科(Ulvac)公司推出的IH-860DSIC,是专为SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火技术难题设计的专用设备。该设备搭载了高温ESC(静电吸附卡盘),能够在高温环境下实现高能粒子的连续注入,有效解决了SiC晶圆在离子注入过程中易产生结晶缺陷的问题。

2 设备用途:

   SiC用高温离子注入设备主要用于SiC功率器件(如SiC-SBDSiC-MOSFET)的生产工艺中,特别是在离子注入和激活退火环节。通过该设备,可以实现高温下的高能离子注入,控制注入离子的浓度和深度,从而改善SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性。这对于提升SiC功率器件的性能和可靠性至关重要。

3 设备特点

  高温处理能力:设备能够在500℃的高温下进行离子注入,有效控制SiC晶圆在注入过程中产生的结晶缺陷。

  高能粒子注入:支持高能量的离子注入,如1价离子可注入至350keVOption: 430keV),2价离子可注入至700keVOption: 860keV),满足SiC晶圆对注入能量的高要求。

  高吞吐量:通过采用可调温的静电吸盘和双工位系统结构,实现了晶圆在真空腔内的连续更换和高温处理,将吞吐量提升至30/小时(支持直径为75mm-150mm的晶圆),满足量产需求。

  自动化与智能化:设备具备自动连续高温处理注入的功能,减轻了操作员的负担,同时提高了生产效率和一致性。
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技术参数和特点:

可实现自动连续高温处理注入

•1价离子可注入至350keV2价离子可注入至700keV

Option1价离子可注入至430keV2价离子可注入至860keV

通过Dual-End-Station(双工位)实现高产能;

A4"高温ESC/B3"高温ESCA6"高温ESC/B6"常温ESC等等,可配合客户的希望就行规格配置)

可减轻操作员的负担,紧凑式设计

可大范围对应从试作到量产的各类需求


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