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1 产品概述:
SiC用高温离子注入设备,如爱发科(ULvac)公司推出的IH-860DSIC,是专为SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火技术难题设计的专用设备。该设备搭载了高温ESC(静电吸附卡盘),能够在高温环境下实现高能粒子的连续注入,有效解决了SiC晶圆在离子注入过程中易产生结晶缺陷的问题。
2 设备用途:
SiC用高温离子注入设备主要用于SiC功率器件(如SiC-SBD和SiC-MOSFET)的生产工艺中,特别是在离子注入和激活退火环节。通过该设备,可以实现高温下的高能离子注入,控制注入离子的浓度和深度,从而改善SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性。这对于提升SiC功率器件的性能和可靠性至关重要。
3 设备特点
高温处理能力:设备能够在500℃的高温下进行离子注入,有效控制SiC晶圆在注入过程中产生的结晶缺陷。
高能粒子注入:支持高能量的离子注入,如1价离子可注入至350keV(Option: 430keV),2价离子可注入至700keV(Option: 860keV),满足SiC晶圆对注入能量的高要求。
高吞吐量:通过采用可调温的静电吸盘和双工位系统结构,实现了晶圆在真空腔内的连续更换和高温处理,将吞吐量提升至30枚/小时(支持直径为75mm-150mm的晶圆),满足量产需求。
自动化与智能化:设备具备自动连续高温处理注入的功能,减轻了操作员的负担,同时提高了生产效率和一致性。
4 技术参数和特点:
可适用于晶圆尺寸8inch等,搭载了可对应不定形基板的台板。
离子源,除Gas source之外,另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。
HV terminal的部分,与量产装置是同样的构成,可确保高信赖性。
可大范围对应从试作到量产的各类需求。
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