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离子注入设备

简要描述:高能对应离子注入设备SOPHI-400

可达2400KeV的高能离子注入设备。

  • 产品型号:SOPHI-400
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 214

详细介绍

1 产品概述:

      离子注入设备,又称为离子注入机,是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子(如硼、磷、砷等)加速并注入到半导体材料(如硅片)的特定区域,以改变其电学性能,实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力,是现代集成电路制造中一环。

离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子,经过质量分析器筛选后,由加速管加速至几百千电子伏特的能量,最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境,确保离子注入过程的顺利进行。

2 设备用途:

离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途,主要包括以下几个方面:

  1. 集成电路制造:在制造集成电路的过程中,离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域,以及实现电路的隔离和互联。

  2. 金属材料表面改性:通过离子注入技术,可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层,如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。

  3. 薄膜制备:离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料,如超导薄膜、光学薄膜等。

3 设备特点

离子注入设备具有以下几个显著特点:

  1. 精确控制:离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布,满足集成电路制造中对掺杂精度的要求。

  2. 低温处理:与传统的热扩散工艺相比,离子注入技术可以在较低的温度下进行,避免了高温处理对半导体材料性能的影响。

  3. 广泛应用:离子注入技术不仅应用于半导体制造领域,还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。

4 技术参数和特点:

基板尺寸:Max200mm

大能量:2400 keV

枚叶式

可对应薄片Wafer

平行Beam


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