详细介绍
1 产品概述:
去胶设备通过不同的技术和方法去除物体表面的杂质。在电子行业中,等离子去胶机是一种先进的去胶设备,它利用等离子体中的高能粒子对光刻胶进行轰击,使其发生化学反应和物理剥离,从而实现去除光刻胶的目的。等离子去胶机通常包括反应室、等离子体发生器、控制系统和真空系统等关键部件。
2 设备用途:
去胶设备的用途广泛,特别是在电子、汽车、化工、建筑等多个领域。在电子行业中,去胶设备主要用于:
半导体制造:去除硅基半导体及化合物半导体表面的光阻灰化、高剂量离子注入后的光刻胶残留、晶圆表面的残胶和污染物等。
晶圆级封装:在晶圆级封装的前处理工艺中,去除晶圆表面的污染物和杂质,提高封装质量。
电路板制造:去除印刷电路板表面的胶层,提高电路板的精度和可靠性。
3 设备特点
高效性:等离子去胶机去胶速度较快,可以在较短的时间内完成大量样品的处理,提高生产效率。
环保性:相比化学去胶方法,等离子去胶机不需要使用有害的化学试剂,处理过程中不会产生有毒废物,对环境的影响较小。
可控性:通过调节等离子体的参数(如功率、气压、气体种类等),可以精确控制去胶的速度和效果,满足不同工艺需求。
兼容性:等离子去胶机适用于各种类型的光刻胶和底层材料,且对底层材料的损伤较小。
集成性:可以与其他等离子体工艺(如等离子体清洗、等离子体蚀刻等)集成在同一设备中,实现全自动化生产,提高生产效率。
4 技术参数和特点:
次世代晶圆工艺必须的 1 x 1016atoms/cm2以上离子注入剥离工艺、PI去除工艺中,可实现低颗粒工艺。
添加F系气体工艺适合的腔体构成,可对应低颗粒需求。因此,从普通PR到离子注入剥离、有机膜剥离(PI,DFR等)、氧化膜刻蚀等
非常广泛的工艺均可对应。
采用简单的设备构成可同时实现“维修性·信赖性"。
有弹性的腔体构成选择(μ波、RIE、μ波+RIE),可实现丰富的搬送路经。
仅设定工艺菜单即可切换晶圆尺寸,晶圆尺寸容易实现。
道后端工艺的离子注入剥离工艺(1 x 1016atoms/cm2以上)的PI除去
添加CF4工艺必要的晶圆工艺(电子部件・LED)
芯片封装的BUMP工艺
CCD颜色过滤膜的制造工艺
添加CF4工艺必要的晶圆工艺(电子部件・LED)
芯片封装的BUMP工艺
CCD颜色过滤膜的制造工艺
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