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去胶设备

简要描述:去胶设备NA-1300系列

从关键的新世代晶圆制程到晶圆封装,Luminous NA系列可对应广范围的各类晶圆尺寸的各类工艺需求。

  • 产品型号:NA-1300系列
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 284

详细介绍

1 产品概述:

    去胶设备通过不同的技术和方法去除物体表面的杂质。在电子行业中,等离子去胶机是一种先进的去胶设备,它利用等离子体中的高能粒子对光刻胶进行轰击,使其发生化学反应和物理剥离,从而实现去除光刻胶的目的。等离子去胶机通常包括反应室、等离子体发生器、控制系统和真空系统等关键部件。

2 设备用途:

    去胶设备的用途广泛,特别是在电子、汽车、化工、建筑等多个领域。在电子行业中,去胶设备主要用于:

  1. 半导体制造:去除硅基半导体及化合物半导体表面的光阻灰化、高剂量离子注入后的光刻胶残留、晶圆表面的残胶和污染物等。

  2. 晶圆级封装:在晶圆级封装的前处理工艺中,去除晶圆表面的污染物和杂质,提高封装质量。

  3. 电路板制造:去除印刷电路板表面的胶层,提高电路板的精度和可靠性。

3 设备特点

  高效性:等离子去胶机去胶速度较快,可以在较短的时间内完成大量样品的处理,提高生产效率。

  环保性:相比化学去胶方法,等离子去胶机不需要使用有害的化学试剂,处理过程中不会产生有毒废物,对环境的影响较小。

  可控性:通过调节等离子体的参数(如功率、气压、气体种类等),可以精确控制去胶的速度和效果,满足不同工艺需求。

  兼容性:等离子去胶机适用于各种类型的光刻胶和底层材料,且对底层材料的损伤较小。

  集成性:可以与其他等离子体工艺(如等离子体清洗、等离子体蚀刻等)集成在同一设备中,实现全自动化生产,提高生产效率。
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技术参数和特点:

  次世代晶圆工艺必须的 1 x 1016atoms/cm2以上离子注入剥离工艺、PI去除工艺中,可实现低颗粒工艺。

添加F系气体工艺适合的腔体构成,可对应低颗粒需求。因此,从普通PR到离子注入剥离、有机膜剥离(PIDFR等)、氧化膜刻蚀等

非常广泛的工艺均可对应。

采用简单的设备构成可同时实现维修性·信赖性"

有弹性的腔体构成选择(μ波、RIEμ波+RIE),可实现丰富的搬送路经。

仅设定工艺菜单即可切换晶圆尺寸,晶圆尺寸容易实现。

道后端工艺的离子注入剥离工艺(1 x 1016atoms/cm2以上)PI除去

添加CF4工艺必要的晶圆工艺(电子部件LED)

芯片封装的BUMP工艺

CCD颜色过滤膜的制造工艺

添加CF4工艺必要的晶圆工艺(电子部件LED)

芯片封装的BUMP工艺

CCD颜色过滤膜的制造工艺


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