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区熔晶体生长系统

简要描述:FZ-14M(G)区熔晶体生长系统为制备单晶硅晶体样品而设计开发,该系统用于工业多晶硅生产中的材料分析。生产过程中的小型多晶体样品在氩气环境中被感应熔化,并在籽晶上结晶,形成单晶,然后进行光谱分析,以检测和记录所生产的多晶硅质量。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高极限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染。

  • 产品型号:FZ-14M(G)
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-05
  • 访  问  量: 179

详细介绍

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料,使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒, 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外,上主轴可以在XY方向移动。

产品数据概览:

材料:硅

晶体

晶体拉动长度 350 mm

晶体直径: 最长可达 25 mm

最后真空度: 2.5 x 10-5 mbar

最大过压: 2 bar(g)

发电机

输出电压: 15 kW

频率: 2.4 MHz (FZ-14M)

上轴

进料速度: 最高 30 mm/min

上部旋转: 最高 30 rpm

下轴

拉动速度: 最高 30 mm/min

下部旋转: 最高 30 rpm

尺寸规格

高度: 3,000 mm

宽度: 1,020 mm

深度 1,640 mm

面积(总): 1,800 mm x 4,000 mm

重量(总): 2,500 kg

区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。

区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。


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