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区熔晶体生长系统

简要描述:FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米(4英寸)的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸,可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中,晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高极限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染,同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。

  • 产品型号:FZ-14
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-05
  • 访  问  量: 198

详细介绍

产品数据概览:

材料:硅

晶体

晶体 1,100 mm

晶体拉动长度: 长达100 mm (4″)

晶体直径: 2.5 x 10-5 mbar

极限真空度: 0.5 bar(g)

发电机

输出电压: 30 kW

频率: 2.4 MHz

上轴

进料速度: 最高30 mm/min

上部旋转: 最高35 rpm

下轴

拉动速度: 最高 30 mm/min

下部旋转: 最高 30 rpm

尺寸规格

高度 6,280 mm

宽度: 2,750 mm

深度: 3,000 mm

重量(总): 4,900 kg

区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。

区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。


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