详细介绍
1. 产品概述:
Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔(ICP etch chamber)以及传输模块(transfer module)构成
适用于0.11微米及其它技术代的多晶硅栅(poly gate)、侧墙(spacer)、浅沟槽隔离(STI)工艺
2. 工艺数据
3 μm Trench
0.4 μm Trench
0.25 μm Trench
2 μm Poly
0.18 μm Poly
3. 详细介绍
Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备,为8英寸IC产线上栅工艺的多腔式量产型设备,拥有自主开发的优化设计, 保证了优异的刻蚀均匀性(片内<5%,片间<5%)和颗粒控制。提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各项工艺的刻蚀解决方案。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率,可为客户产能升提供帮助。
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