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干法刻蚀设备

简要描述:干法刻蚀设备 APIOS NE-950EX

对应LED量产用的干法刻蚀设备「NE-950EX」相对我司以往设备实现了140%的生产力。是搭载了ICP高密度等离子源和爱发科自有的星型电的干法刻蚀设备。

  • 产品型号:APIOS NE-950EX
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 193

详细介绍

1 产品概述:

   干法刻蚀是一种利用物理或物理与化学相结合的方法,通过高能气体分子或离子束轰击固体表面,使材料发生化学反应或物理溅射,从而去除不需要的部分,实现高精度的加工过程。干法刻蚀在半导体制造、微纳加工、光学加工等领域具有广泛应用,是芯片制造中的关键技术之一。

2 设备用途:

干法刻蚀设备主要用于以下领域:

  1. 半导体制造:在半导体芯片制造过程中,干法刻蚀被用于去除硅片表面的多余材料,形成精确的电路图形。这是半导体制造工艺中的关键环节之一,直接影响芯片的性能和良率。

  2. 微纳加工:干法刻蚀机在微纳加工中扮演着重要角色,能够制作出微米和纳米级别的精细结构,如微型天线、纳米光子晶体、微结构电极等。

  3. 光学加工:在光学领域,干法刻蚀机被用于制作高精度、高质量的光学元件,如微型透镜、激光反射面、偏振器件、光通讯器件等。

3 设备特点

干法刻蚀设备具有以下特点:

  1. 高精度:干法刻蚀能够实现微米甚至纳米级别的加工精度,满足高精度加工的需求。

  2. 高选择比:干法刻蚀在刻蚀过程中能够精确控制不同材料的刻蚀速率,实现高选择比刻蚀,减少对其他材料的损伤。

  3. 各向异性好:干法刻蚀技术能够产生垂直度高的侧壁,有利于形成精确的图形结构。

  4. 刻蚀损伤小:相比湿法刻蚀,干法刻蚀在刻蚀过程中产生的损伤较小,有利于保护底层材料。


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技术参数和特点:

4inch晶圆可放置7片同时处理,6inch晶圆可实现3片同时处理,小尺寸晶圆方面,2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。

搭载了在化合物半导体域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICPISM)高密度等离子源。

高生产性(比以提高140%)。

为防止RF投入窗的污染搭载了爱发科星型电。

贯彻Depo对策,实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。

拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术(GaN蓝宝石、各种metalITOSiCAlNZnO4元系化合物半导体)。


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