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Load-lock式Plasma CVD设备

简要描述:Load-lock式Plasma CVD设备 CC-200/400

Load-lock式Plasma CVD设备CC-200/400是小型的使用便利的可对应从研究开发到量产的设备。

  • 产品型号:CC-200/400
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 179

详细介绍

1 产品概述:

Load-lockPlasma CVD设备是一种集等离子体发生、薄膜沉积和Load-lock技术于一体的先进设备。它通常包括反应室、等离子体发生器、真空系统、加热系统以及Load-lock腔室等关键部件。在设备运行过程中,通过Load-lock腔室实现样品在真空环境和外界环境之间的快速切换,减少外界污染对样品的影响,同时提高生产效率。

2 设备用途:

Load-lockPlasma CVD设备广泛应用于半导体制造、材料科学、光学薄膜制备、太阳能电池生产等多个领域。其主要用途包括:

  1. 薄膜沉积:利用等离子体中的高能粒子促进化学反应,在基底表面沉积高质量的薄膜材料,如氧化物、氮化物、碳化物等。

  2. 材料改性:通过等离子体处理改善材料的表面性能,如提高附着力、降低摩擦系数、增加耐腐蚀性等。

  3. 多层膜制备:结合其他工艺,如光刻、刻蚀等,制备具有复杂结构和功能的多层膜材料。

3 设备特点

  高效性:等离子体中的高能粒子能显著加速化学反应,提高薄膜的沉积速率和生产效率。

  高质量:通过精确控制等离子体参数和工艺条件,可以制备出高质量、高纯度的薄膜材料。

  灵活性:适用于多种材料的薄膜制备,且可通过调整工艺参数实现薄膜性质的精确调控。

  环保性:相比传统化学沉积方法,等离子CVD设备在制备过程中不需要使用有害的化学试剂,减少了环境污染。

  Load-lock技术:采用Load-lock腔室设计,实现了样品在真空环境和外界环境之间的快速切换,减少了外界污染对样品的影响,同时提高了生产效率。
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技术参数和特点:

•27.12MHz高密度等离子制程

•SiH4系:SiO2SiNxSiONa-SiTEOS系:可对应SiO2

CF4+O2 Plasma实现腔体清洁功能

可对应有机ELOLED)的低温成膜用heater

使用Tray可搬送多种基板尺寸

通过使用真空Box实现C系列的间接连续制程(Sputter: CS-200, Evaporation: CV-200


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