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枚叶式PECVD设备

简要描述:枚叶式PECVD设备CME-200E/400

枚叶式PE-CVD设备CME-200E/400是适用于Si系绝缘膜、barrier膜等成膜的量产用PECVD设备。

  • 产品型号:CME-200E/400
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 221

详细介绍

1 产品概述:

   枚叶式PECVD设备(尽管此名称可能非标准),作为PECVD技术的一种实现方式,其核心在于利用等离子体增强化学气相沉积过程。该设备通过特定的气体供应系统引入反应气体,利用高频或微波电源在反应室内产生等离子体,使气体分子在等离子体中发生化学反应,最终在基底上沉积形成所需的薄膜材料。设备通常包括反应室、气体供应系统、等离子体激发系统、加热系统和真空系统等关键部件。

2 设备用途:

枚叶式PECVD设备(或一般PECVD设备)的用途广泛,主要包括但不限于以下几个方面:

  1. 半导体制造:用于生长SiO2SiNx等材料,作为MOSFET等半导体器件的绝缘层和通道层。

  2. 光伏产业:制备非晶硅、多晶硅等薄膜,用于太阳能电池的光吸收层和透明导电层。

  3. 平板显示器:制备低温多晶硅薄膜,用于薄膜晶体管面板的薄膜电晶体。

  4. 光学涂层:制备SiO2Si3N4等材料,用于抗反射膜、硬质涂层、光学滤波器等光学涂层的制备。

3 设备特点

枚叶式PECVD设备(基于PECVD技术的一般特点)可能具备以下特点:

  1. 高效性:等离子体中的高能粒子能显著加速化学反应,提高薄膜的沉积速率和生产效率。

  2. 高质量:通过精确控制等离子体参数和工艺条件,可以制备出高质量、高纯度的薄膜材料。

  3. 灵活性:适用于多种材料的薄膜制备,且可通过调整工艺参数实现薄膜性质的精确调控。

  4. 环保性:相比传统化学沉积方法,PECVD在制备过程中通常不需要使用有害的化学试剂,减少了环境污染。


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技术参数和特点:

•27.12MHz高密度等离子制程

•SiH4系:SiO2SiNxSiONa-SiTEOS系:可对应SiO2

NF3+Ar Plasma实现腔体清洁功能

可对应有机ELOLED)的低温成膜用heater

使用Tray大可搬送□200mm(CME-200E)的基板尺寸(CME-400:可对应300×400)


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