详细介绍
1. 产品概述:
G&P 的 CMP 后清洗机是用于晶圆在化学机械抛光(CMP)后的专用清洗设备。它通过一系列清洗工艺,如漂洗、双面刷洗、兆声清洗等,有效去除晶圆表面在 CMP 过程中残留的有机物、颗粒、金属、氧化层等污染物,确保晶圆表面的洁净度,为后续的半导体制造工序提供高质量的晶圆。该清洗机有单工位、转位式、连线式等不同结构,以适应不同的应用场景,其中连线式设备还加配全自动上下片系统,集成度高,占地面积小,可实现湿进干出。
2. 设备应用:
· 半导体集成电路制造:在半导体芯片的生产流程中,CMP 后清洗机是关键的设备之一。经过 CMP 后的晶圆需要通过清洗机进行清洗,以去除各种污染物,保证芯片的性能和质量。例如,在逻辑芯片、存储芯片等制造过程中,CMP 后清洗机确保了晶圆表面的清洁,为后续的光刻、蚀刻、镀膜等工序创造了良好条件。
· 半导体器件制造:对于各类半导体器件,如二极管、三极管、功率器件等,CMP 后清洗机同样起到重要作用。清洗后的晶圆可以提高半导体器件的成品率和可靠性,满足半导体器件对晶圆表面质量的高要求。
· 其他电子元件制造:在一些对晶圆表面洁净度要求较高的电子元件制造中,如光电器件、MEMS 器件等,CMP 后清洗机也得到了广泛应用,有助于提升这些电子元件的性能和生产效率。
3. 设备特点:
· 高效清洗能力:具备多种清洗方式,如双面刷洗能够全面清洁晶圆表面,兆声清洗则可以有效去除微小颗粒和污染物,实现高效的清洗效果,确保晶圆表面无 0.1μm 及以上颗粒存在。
· 高兼容性:通过更换夹具,可兼容 4-12 英寸等不同尺寸的晶圆,满足多种规格晶圆的清洗需求,具有广泛的适用性。
· 自动化程度高:例如连线式设备配有全自动上下片系统,采用 PLC 系统和触摸屏控制,一键式自动完成刷洗清洗加工,操作简便,使用更加方便,提高了生产效率和减少了人工操作可能带来的误差。
· 工艺参数精准控制:能够精确控制清洗过程中的各项参数,如兆声频率、清洗温度、清洗时间、转速等,以满足不同晶圆和污染物的清洗要求,保证清洗的稳定性和一致性。
· 可靠性强:具有稳定可靠的机械结构和控制系统,能够在长时间的生产运行中保持稳定的性能,减少设备故障和停机时间,确保生产的连续性。
4. 产品参数:
· 清洗工位:有单工位、转位式等不同类型。
· 兼容晶圆尺寸:一般可兼容 4-12 英寸的晶圆。
· 兆声频率:例如常见的为 0.8-1.0MHz 左右,不同型号设备可能有所差异。
· 旋转速率:如最大旋转速率可达 2000rpm(具体不同位置的旋转速率可能不同,如 PVA 刷最大转速可能为 400rpm 等)。
· 清洗流量:像 DIW 清洗最小流量为 1.5L/min,且可能支持多路化学清洗。
· 烘干方式:通常采用 N2 加热烘干与甩干衬底等方式。
实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。
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