详细介绍
改良后的硅芯炉设计采用两个直径约为50毫米的源杆,并可以从每个源杆上拉出硅芯。
产品数据概览:
材料:硅
细杆
长度: 最长3200毫米
直径: 大约8毫米
源杆
长度: 最长 1,000 mm
直径: 100 mm (4")
极限真空度: 5 x 10-2 mbar
最大过压: 0.35 bar(g)
发电机
输出电压: 30 kW
频率: 2.8 MHz
上拉式进料
拉动速度: 最高60毫米/分钟
下拉式进料
拉动速度: 最高 10 mm/min
转速: 高达 20 rpm
尺寸规格
高度: 7,300 mm
宽度: 1,820 mm
深度: 1,250 mm
占地面积(总计): 2,500 mm x 2,800 mm
重量(总计): 约6,000 kg
区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。
区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。
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