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详细介绍
1 产品概述:
快速退火炉,又称RTP(Rapid Thermal Processing)快速热处理炉,是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源,通过极快的升温速率(可达150摄氏度/秒)和精确的温控系统,将晶圆或材料快速加热到所需温度(最高可达1200摄氏度),并在短时间内完成退火过程,从而消除材料内部缺陷,改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中,是现代微电子制造领域重要设备。
2 设备用途:
1、快速热处理(RTP):用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理,以改善晶体结构和光电性能。
2、快速退火(RTA):通过快速升温和降温过程,消除材料内部的应力、缺陷和杂质,提高材料的性能。
3 、热氧化处理(RTO):在特定气氛下对材料进行加热处理,形成所需的氧化物层。
4、离子注入/接触退火:在离子注入后对材料进行退火处理,以激活注入的离子并改善材料的电学性能。
5、 金属合金化:如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中,通过快速退火促进合金化反应。
6、 化合物合金制备:如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中,快速退火炉也发挥着重要作用生。同时,加热还可以促进化学反应的进行,提高处理效果。
3. 设备特点
1 高效加热与快速升降温:采用卤素红外灯等高效热源,升温速率快,最高可达150摄氏度/秒;降温速率也快,如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。
2 高精度温控系统:采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度,控温精度可达±0.5摄氏度,温控均匀性≤0.5%设定温度。
3 多功能性与灵活性:可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等,满足不同工艺条件的需求。
4 低污染与环保:试样反应区处在一个密闭的石英腔体内,大大降低了间接污染试样的可能性;同时,设备在设计和制造过程中注重环保理念,减少了对环境的污染。
5 操作简便与自动化:配备可视化触摸屏和智能控制系统,设定数据和操作都是图文界面,操作方便;同时,可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。
4 设备参数:
适用于大 100 mm (4“) 或 100 mm x 100 mm 基板尺寸的单晶圆
由石英玻璃制成的工艺室
带集成气体入口和出口
包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路(5 nlm = 标准升/分钟)
由 18 个红外灯 (20 kW) 加热
顶部和底部加热(可选)
外部泵系统具有真空功能(高 10E-3 hPa,高 10E-6 hPa:参见 RTP-100-HV)
SPS 过程控制器,带 50 个程序,每个程序多 50 个步骤(以太网接口),SIMATIC
7 英寸触摸屏,便于编程和过程控制
高气温 1200 °C
通过热电偶进行温度控制
需要水冷
电气连接类型:32 A CEE 插头(3x 230 V,3 相,N,PE,20 kW)
烤箱尺寸:504 x 504 (700) x 570 毫米(宽 x 深 x 高)
重量: 55 kg
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