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电感耦合等离子体刻蚀

简要描述:PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺,适用于最大尺寸为200毫米的晶圆,支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场领域。

  • 产品型号:PlasmaPro 100 Cobra ICP
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-05
  • 访  问  量: 164

详细介绍

1. 产品概述

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺,适用于大尺寸为200毫米的晶圆,支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场域。

高刻蚀速率和高选择性

低损伤刻蚀和高可重复性加工

单晶圆装载锁定或可与多达5个工艺模块集群

He背面冷却,以实现佳温度控制

宽温度范围电,-150°C至400°C

与所有大尺寸为200毫米的晶圆兼容

晶圆尺寸之间的快速转换

原位腔室清洁和终点控制功能

2. 特色参数

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺,适用于大尺寸为200毫米的晶圆,支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场域。

晶圆尺寸:大可达200mm

ICP源尺寸可选:65mm和300mm

温度范围:从-150°C到400°C

集群:多达5个模块,包括 ALD、PECVD、离子束刻蚀和离子束沉积等技术




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