详细介绍
1. 产品概述
满足半导体制造中湿法刻蚀工艺,单片加工,适用于SiO2,SiN,Polysilicon和各种金属层的刻蚀,清洗等工艺流程。
2. 产品优势
利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液,可以有效的提高刻蚀均匀性
分层式反应腔体设计,可以在同一腔体中喷洒多种化学液,并能有效回收,节约化学液
叠层控制,占地面积小,多可配置4个刻蚀单元
3. 应用域:
半导体制造中湿法刻蚀工艺
封装域中金属层刻蚀,满足UBM及RDL工艺要求
OLED 域中金属及金属氧化物(ITO/IGZO)刻蚀、缓冲层成膜的表面(SiO2)刻蚀清洗等工艺
满足半导体制造中湿法刻蚀工艺,单片加工,适用于SiO2,SiN,Polysilicon和各种金属层的刻蚀,清洗等工艺流程。
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