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无掩模对光刻机

简要描述:无掩模对光刻机 MLA 300 提供高吞吐量、简化的工作流程以及与制造执行系统 (MES) 的集成。该工具用于生产传感器和传感器 IC、MEMS 和微流体器件。其他应用包括分立电子元件、模拟和数字 IC、ASIC、电力电子、OLED 显示器和先进封装。

  • 产品型号:MLA 300
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-05
  • 访  问  量: 214

详细介绍

1. 产品概述:

MLA 300 无掩模光刻机 提供高吞吐量、简化的工作流程以及与制造执行系统 (MES) 的集成。该工具用于生产传感器和传感器 IC、MEMS 和微流体器件。其他应用包括分立电子元件、模拟和数字 IC、ASIC、电力电子、OLED 显示器和先进封装。

MLA 300 可实现高的光学质量和精度。标准曝光模块的小特征尺寸为 1.5 μm。实现更高吞吐量和更高分辨率的写入模式正在我们的路线图上。MLA 300 具有自动化功能,具有可定制的装载选项、为生产环境设计的软件以及获得基材跟踪技术。

MLA 300 克服了口罩采购、验证和管理的要求,从而降低了生产成本和工作量。长寿命曝光激光器(24/7 全天候生产估计为 10 年)和较少的耗材可提高运营成本。模块化设计可实现快速维护、更换或维修。实时自动对焦可补偿基材翘曲或波纹,确保无瑕的图案。无掩模光刻技术允许对每个芯片进行图案校正和序列化,以全面跟踪产品特性,例如传感器校准。

具体参数
最小行数和间距 [μm]2
最小特征尺寸 [μm]1.5
CD均匀度 [3σ, nm]200
边缘粗糙度 [3σ, nm]80
拼接 [3σ, nm]120
第 2 层对准 [3σ, nm]500
背面对准 [3σ, nm]1000
每个模块的曝光时间(100 x 100 mm² 80 mJ/cm² 和 405 nm 激光波长)2.75 分钟
一个模块的最大写入速度 405 nm 激光波长4615 平方毫米/分钟
系统特点
光源375 nm 或 405 nm 的高功率二极管激光器
最大基板尺寸300 x 300 平方毫米
最大曝光面积300 x 300 平方毫米
基板厚度0.1 - 10 毫米
模块化环境试验箱温度稳定性±0.1°C
实时自动对焦光学和/或气动自动对焦
自动对焦动态范围高达 150 μm
对准高级对准;背面对齐可选
自动化自动晶圆处理和预对准


系统尺寸(不包括装载机)
高度 × 宽度 × 深度1980 毫米 x 1200 毫米 x 2310 毫米
重量2600 千克


安装要求
电气400 伏交流电,50/60 赫兹,16 安






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