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多腔等离子体工艺系统

简要描述:多腔等离子体工艺系统-概述:
1.方案是适用于最大 8 吋晶圆的多腔等离子体沉积/刻蚀工艺系统
2.系统可用于研发和小批量生产
3.系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片;不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-03-28
  • 访  问  量: 470

详细介绍

多腔等离子体工艺系统

l  方案是适用于最大 8 吋晶圆的多腔等离子体沉积/刻蚀工艺系统

l  系统可用于研发和小批量生产                                

l  系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片;不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空

l  多腔等离子体工艺系统包括:一个六端口的转接腔、带机械手                                      

六个端口分别连接:

1)一个 ALE 刻蚀腔模块:用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子层刻蚀

2)一个ICPECVD 沉积腔模块:用于沉积氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介质薄膜 (3)一个低温 ICP-RIE 刻蚀腔模块:配氟基气体,主要用于低温深硅刻

蚀、常温锗刻蚀等                                          

4)一个 loadlock 预真空室模块:用于单片样品的手动送样

5)一个真空片盒站模块:用于多片片盒的自动送样                        

6)一个端口备用,未来可升级增加 1 个刻蚀或沉积反应腔模块

 

 

 

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