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RIE反应离子刻蚀机

简要描述:CIF推出RIE反应离子刻蚀机,采用RIE反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学,科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2023-06-20
  • 访  问  量: 481

详细介绍

一、产品简介:

CIF推出RIE反应离子刻蚀机,采用RIE反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学,科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括:

1.介电材料(SiO2、SiNx等)

2.硅基材料(Si,a-Si,poly Si)

3.III-V材料(GaAs、InP、GaN等)

4.溅射金属(Au、Pt、Ti、Ta、W等)

5.类金刚石(DLC)      

二、RIE反应离子刻蚀机 产品特点

1.7寸彩色触摸屏互动操作界面,图形化用户操作界面显示,自动监测工艺参数状态,20个配方程序,可存储、输出、追溯工艺数据,机器运行、停止提示。

2. PLC工控机控制整个清洗过程,手动、自动两种工作模式。

3. 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质,耐腐蚀无污染。

4. 采用防腐数字流量计,实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统,可选多气路气体输送系统,气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。

5. 采用花洒式多孔进气方式,改变传统等离子清洗机单孔进气不均匀问题。

6. HEPA高效过滤,气体返填吹扫,防止二次污染。

7. 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计,操作方便,界面友好。

8. 采用顶置真空仓,上开盖设计,下压式铰链开关方式。

9. 上置式360度水平取放样品设计,符合人体功能学,操作更方便。

10. 有效处理面积大,可处理最大直径200mm晶元硅片。

11. 安全保护,仓门打开,自动关闭电源。

三、技术参数

型号

RIE200

RIE200plus

舱体内尺寸

H38xΦ260mm

H38xΦ260mm

舱体容积

2L

2L

射频电源

40KHz

13.56MHz

电极

不锈钢气浴RIE电极,Φ200mm

不锈钢气浴RIE电极,Φ200mm

匹配器

自动匹配

自动匹配

刻蚀方式

RIE

RIE

射频功率

10-300W可调(可选10-1000W)

10-300W可调(可选10-600W)

气体控制

质量流量计(MFC)(标配双路,可选多路)流量范围0-500SCCM(可调)

工艺气体

ArN₂、O₂、H₂、CF4CF4+ H2CHF3或其他混合气体等(可选)

最大处理尺寸

≤Φ200mm

时间设定

1-99分59秒

真空泵

抽速约8m3/h

气体稳定时间

1分钟

极限真空

≤1Pa

电 源

AC220V 50-60Hz,所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。



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