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化学气相沉积MOCVD

简要描述:MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式,经载带气体送到反应室,进行热分解反应而生长出薄膜材料。应用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

  • 产品型号:customized
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 702

详细介绍

1. 产品概述

MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式,经载带气体送到反应室,进行热分解反应而生长出薄膜材料。应用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

2. 设备用途/原理

应用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等

MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式,经载带气体送到反应室,进行热分解反应而生长出薄膜材料;

加热系统:采用钨丝加热,三温区控制,最高温度至1400℃;

反应腔室内托盘与喷淋头间距可调(范围覆盖5 mm至25 mm);

工艺过程中,具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能;

搭载温度监测系统,可实时扫描晶圆温度mapping图。

3. 设备特点

从研发到大规模生产

衬底尺寸:3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch

通过载波交换实现:6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch

Ga2O3薄膜生长速率:>3um/h

Ga2O3薄膜表面粗糙度:5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量 ≤1.0 nm

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