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当前位置:首页  >  产品中心  >  半导体前道工艺设备  >  2 PVD  >  Super-SPECTROS™ 200有机薄膜沉积和金属化系统

有机薄膜沉积和金属化系统

简要描述:概述
针对有机材料沉积进行了优化
多达 12 个 LTE 信号源;1cc、10cc或35cc容量
主体与掺杂剂比 1000:1
多达 4 个热蒸发源
基板快门
自动基板、掩膜存储和更换
高温计端口
手套箱接口设计,带滑动前门和滑动后门
KJLC eKLipse™ 控制软件
速率控制分辨率 0.05Å/s
基于配方的基于 PC 的系统控制
低温泵高真空泵
2位闸阀

  • 产品型号:Super-SPECTROS™ 200
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 175

详细介绍

1. 产品概述:

Super-SPECTROS™ 200 是一套先进的有机薄膜沉积和金属化系统,针对有机材料沉积进行了优化。它能够实现精确的薄膜沉积控制,可沉积多种材料,如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、非晶硅等硅基薄膜,以及各种金属薄膜,在半导体、光电等领域有广泛应用 。

 

2. 设备应用

· 半导体领域:用于半导体芯片制造过程中的薄膜沉积,如制作晶体管的栅极绝缘层、金属互连层等,对提高芯片性能和集成度至关重要。例如在先进的逻辑芯片制造中,精确沉积的绝缘薄膜可确保晶体管之间的电隔离,金属薄膜则用于实现芯片内的电路连接。

· 光电领域:在有机发光二极管(OLED)制造中,可沉积有机发光材料和电极材料等,对于实现高质量的发光显示效果意义重大。比如在 OLED 屏幕生产中,通过该系统精确控制有机薄膜的沉积,能保证发光层的均匀性和稳定性,提升显示品质。

· 科研领域:为高校和科研机构的材料研究、新型器件研发等提供了强大的实验手段,助力科研人员探索新的材料体系和器件结构,推动相关领域的技术创新和发展

3. 设备特点

· 多源配置灵活:多达 12 个 LTE 信号源,并且有 1cc、10cc 或 35cc 等不同容量可供选择,还配备多达 4 个热蒸发源,可满足多种材料和复杂结构的沉积需求,能实现对不同材料的精确控制沉积,为制备多功能、高性能的薄膜器件提供了基础 1。

· 精确的沉积控制:具有自动基板、掩膜存储和更换功能,以及基板快门,可确保在沉积过程中对基板的精准操作和保护,实现高质量、均匀性良好的薄膜沉积。例如在制备高精度的光学薄膜时,能保证薄膜厚度和光学性能的一致性 1。

· 工艺参数监控与调节:通过高温计端口实时监测沉积过程中的温度等参数,结合 KJLCEKLIPSE™控制软件,实现基于配方的基于 PC 的系统控制,且速率控制分辨率可达 0.05 Å/s,能够精确控制薄膜的生长速率和厚度等参数,满足不同应用场景对薄膜性能的严格要求 1。

· 高效的真空系统:采用低温泵高真空泵和 2 位闸阀,确保系统具有高真空度环境,有效减少杂质和气体对沉积过程的影响,提高薄膜的质量和纯度。例如在制备对纯度要求高的半导体薄膜时,高真空环境可保证薄膜的电学性能和稳定性 1。

· 创新的双楔工具KJC 双楔工具可将单个基材转换为多个基材,而无需打破真空或进行复杂的掩膜操作。这种方式减少了昂贵且长时间的研究时间,允许在几天而不是几个月内完成大量的基材变化。此外,结合基板的旋转 / 取向操作,可实现多种材料和厚度的组合沉积,极大地拓展了系统的应用灵活性和功能性 1。

 

4. 产品参数

· 晶圆尺寸:可支持多种规格晶圆,具体支持情况未详细说明,但通常能够满足常见的半导体晶圆尺寸需求。

· 源的类型和数量:多达 12 个 LTE 信号源,有不同容量选择;多达 4 个热蒸发源。

· 沉积速率控制:速率控制分辨率为 0.05 Å/s 。

· 真空系统:配备低温泵高真空泵,确保高真空度环境;采用 2 位闸阀 。

· 温度监测与控制:具有高温计端口,可实时监测温度,但具体的温度控制范围未给出。

· 软件控制系统:采用 KJLCEKLIPSE™控制软件,基于配方的基于 PC 的系统控制,方便用户进行参数设置和工艺管理。

· 双楔工具特性:可实现单个基材到多个基材的转换,且能与基板旋转 / 取向结合,实现多种复杂的沉积组合,但关于具体的尺寸、角度等参数未详细说明。

· 实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。

 



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