详细介绍
1. 产品概述:
高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积(PECVD)系统是一种先进的材料制备技术,广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态,进而在基片表面发生化学反应,沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点,能够制备出多种功能性薄膜,如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。
2 设备用途/原理:
半导体工业:用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜,提高器件的可靠性和性能。
光伏产业:在太阳能电池制造中,PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物(TCO)薄膜、减反射膜等,以提高光电转换效率。
平板显示:在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)等平板显示器件的制造中,PECVD系统用于制备薄膜晶体管(TFT)的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。
微电子与纳米技术:在微纳电子器件、纳米传感器等领域,PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料,如抗腐蚀层、绝缘层等。
3. 设备特点
1 高真空环境:PECVD系统通常配备有高真空泵组,以确保反应室内的真空度达到较高水平,从而减少杂质对薄膜质量的影响。
2 等离子体增强:通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体,使气体分子高度活化,降低反应温度,提高沉积速率和薄膜质量。
3 精确控制:系统配备有精密的控制系统,可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制,从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。
4 多功能性:PECVD系统具有广泛的应用范围,可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料,满足不同领域的需求。
真空室结构:1个中央传输室:蝶形结构;3个沉积室:方形结构; 1个进样室:方形结构
真空室尺寸:中央传输室:Φ1000×280mm ; 沉积室:260×260×280mm ;进样室:300×300×300mm
限真空度:中央传输室:6.67E-4 Pa;沉积室:6.67E-6 Pa ;进样室:6.67 Pa沉积源:设计待定
样品尺寸,温度:114X114X3mm, 加热温度350度,机械手传递样品
占地面积(长x宽x高):约13米x9米x2.3米(设计待定)
电控描述:全自动控制
工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%
特色参数:共有8路工作气体
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