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高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统

简要描述:高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统主要由3个真空沉积室(分别沉积P、I、N结)、1个进样室、1个中央传输室、平板式电极、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。

  • 产品型号:Cluster PECVD
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-06
  • 访  问  量: 156

详细介绍

1.  产品概述:

高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积(PECVD)系统是一种先进的材料制备技术,广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态,进而在基片表面发生化学反应,沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点,能够制备出多种功能性薄膜,如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。

2 设备用途/原理:

  1. 半导体工业:用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜,提高器件的可靠性和性能。

  2. 光伏产业:在太阳能电池制造中,PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物(TCO)薄膜、减反射膜等,以提高光电转换效率。

  3. 平板显示:在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)等平板显示器件的制造中,PECVD系统用于制备薄膜晶体管(TFT)的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。

  4. 微电子与纳米技术:在微纳电子器件、纳米传感器等领域,PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料,如抗腐蚀层、绝缘层等。

3. 设备特点

1  高真空环境:PECVD系统通常配备有高真空泵组,以确保反应室内的真空度达到较高水平,从而减少杂质对薄膜质量的影响。

2  等离子体增强:通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体,使气体分子高度活化,降低反应温度,提高沉积速率和薄膜质量。

3  精确控制:系统配备有精密的控制系统,可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制,从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。

4  多功能性:PECVD系统具有广泛的应用范围,可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料,满足不同领域的需求。

真空室结构:1个中央传输室:蝶形结构;3个沉积室:方形结构; 1个进样室:方形结构


真空室尺寸:中央传输室:Φ1000×280mm ; 沉积室:260×260×280mm ;进样室:300×300×300mm

限真空度:中央传输室:6.67E-4 Pa;沉积室:6.67E-6 Pa ;进样室:6.67 Pa沉积源:设计待定

样品尺寸,温度:114X114X3mm, 加热温度350度,机械手传递样品

占地面积(长xx高):13x9x2.3米(设计待定)

电控描述:全自动控制

工艺:80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%

特色参数:共有8路工作气体








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