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步进式光刻机

简要描述:1、Nikon NSR 2005i10C步进式光刻机
光源波长365nm
分辨率优于0.45µm
主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域
2、产品详情
主要技术指标
分辨率0.45µm
N.A.0.57
曝光光源365nm
倍率5:1
最大曝光现场20mm*20mm
对准精度
LSA:100nm
FIA:110nm

  • 产品型号:Nikon NSR 2005i10C
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-09-04
  • 访  问  量: 482

详细介绍

一、产品概述:

 Nikon NSR 2005i10C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备,该机型采用先进的步进光刻技术,能够实现高分辨率和高精度的图案转移,广泛应用于集成电路(IC)、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度,Nikon NSR 2005i10C非常适合大批量生产,同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2005i10C成为现代半导体制造过程中的重要工具,满足行业对高质量和高效率的需求。

二、设备用途/原理:

该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线,经过高分辨率光学系统,精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后,光刻胶的化学性质发生变化,随后进行显影,去除未曝光或已曝光的光刻胶,从而形成所需的图案。接着,利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上,最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤,Nikon NSR 2005i10C能够高效地实现复杂图形的精确转移,满足现代半导体制造的高标准要求。

三、主要技术指标:

分辨率

0.45µm

N.A.

0.57

曝光光源

365nm

倍率

5:1

大曝光现场

20mm*20mm

对准精度

LSA:100nm
FIA:110nm

四、设备特点

Nikon NSR 2005i10C步进式光刻机

光源波长365nm

分辨率优于0.45µm

主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线

广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等


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